内存时序是什么意思(教你如何挑选内存)

内存时序是什么意思?内存时序(英语:Memory timings或RAM timings)是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,例如7-8-8-24。第四个参数(RAS)经常被省略,而有时还会加入第五个参数:Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间(延迟时间)。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间,通常以纳秒为单位。

在这四组数字之中,CL对内存性能的影响是最明显的,所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上,一般DDR4内存的第一项数值在15左右浮动,但是DDR3内存的数值在5到11之间,而且后面三组数值也比DDR4内存要小,也就是说在相同的频率下,DDR3内存是要比DDR4更快的(笔者并不是否定DDR4)。

怎么看内存时序?一般情况下,内存时序都会标注在内存的铭牌上,如果内存上没有标注时序的话,我们也可以通过软件(CPU-Z)来查看内存时序。

内存时序参数指定了影响随机存储存储器速度的延迟时间。较低的数字通常意味着更快的性能,所以在内存频率相同的情况下,内存时序越小越好。一般情况下我们只需要看内存时序中的第一个数字,数字越小越好。

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